Graphit-Suszeptor

Vorteile des Graphitsuszeptors

Graphit-Suszeptoren haben in der Regel die Form von Scheiben, Blöcken oder maßgeschneiderten, unregelmäßigen Strukturen, und ihre Vorteile sind sehr ausgeprägt.

Hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit

Es kann die strukturelle Stabilität ohne Verformung oder Leistungsminderung in einer Ultrahochtemperaturumgebung von über 1500°C aufrechterhalten.

Ausgezeichnete elektromagnetische Induktionseigenschaften

Es kann Hochfrequenz- oder Mikrowellenenergie schnell absorbieren und in Wärmeenergie umwandeln, wodurch eine effiziente und gleichmäßige Erwärmung erreicht wird.

Hohe mechanische Festigkeit

Es kann relativ großen Druckbelastungen und thermischen Belastungen standhalten.

Äußerst stabile chemische Eigenschaften

Es weist eine gute Beständigkeit gegen die meisten korrosiven Gase und chemischen Reagenzien auf.

Hohe Wärmeleitfähigkeit

Es kann schnell übertragen werden Wärmedie für eine konstante Temperatur während des Prozesses sorgt.

Leicht mechanisch bearbeitbar und oberflächenbehandelbar

Sie können es in Größe und Form entsprechend den verschiedenen Prozessanforderungen anpassen.

Verwendungen von Graphit-Suszeptoren

Bereich Halbleiterfertigung

Bei Präzisionsverfahren wie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) in der Chipherstellung können Sie es als Kernträgerplattform für den Wafer verwenden. Aufgrund der außergewöhnlich hohen Wärmeleitfähigkeit kann eine gleichmäßige Verteilung der Oberflächentemperatur des Wafers innerhalb von Millisekunden erreicht werden. Dadurch wird die Konsistenz der Dünnschichtabscheidung gewährleistet. Und seine hohe chemische Stabilität kann dem Eindringen von korrosiven Gasen und Verunreinigungen wirksam widerstehen. Dadurch wird die Fehlerquote bei Chips erheblich reduziert und die Ausbeute und die elektrische Leistung bei der Chip-Herstellung deutlich verbessert.

Bereich Kristallwachstum

Der Graphitsuszeptor spielt auch eine wichtige Rolle im Wachstumsprozess von hochwertigen Kristallen wie Saphir und Siliziumkarbid. Er bietet nicht nur eine stabile Unterstützung für die Kristalle, sondern schafft auch eine einheitliche und stabile Temperaturumgebung durch eine präzise Technologie zur Steuerung des thermischen Feldes. Durch diese kontrollierbaren Wachstumsbedingungen können die Wachstumsrate, die Kristallorientierung und die innere Struktur des Kristalls genau gesteuert werden, wodurch Versetzungs- und Verunreinigungsdefekte wirksam reduziert werden. Dies macht es zu einer unverzichtbaren Schlüsselkomponente für die Herstellung von großformatigen und hochwertigen Einkristallmaterialien.

Metallurgische Industrie

In metallurgischen Anlagen wie Vakuum-Induktionsöfen und Lichtbogenöfen dient er als hochtemperaturbeständiger, tragender Kern. Es kann dem enormen Druck und dem starken Temperaturschock von Hochtemperatur-Metallflüssigkeiten standhalten. Dank seiner ausgezeichneten chemischen Inertheit kann er chemische Reaktionen mit aktiven Metallen in Hochtemperaturumgebungen wirksam verhindern. Dadurch wird das Einbringen von Verunreinigungen aus der Quelle verhindert und ein hoher Reinheitsgrad und stabile Qualitätsstandards der Schmelzprodukte gewährleistet.

Solar-Photovoltaik-Industrie

Sie können es auch in den wichtigsten Prozessverbindungen wie Hochtemperaturdiffusion und Glühen in der Siliziumwaferherstellung verwenden. Der Graphit-Suszeptor spielt die Rolle eines präzisen Trägers und einer effizienten Übertragung des Siliziumwafers. Aufgrund seiner stabilen mechanischen Eigenschaften und seiner Wärmeleitfähigkeit kann er dafür sorgen, dass sich die Siliziumwafer während der Hochtemperaturverarbeitung nicht verformen oder verschieben, und er fördert die gleichmäßige Diffusion von Fremdatomen. Dadurch werden die photoelektrische Umwandlungseffizienz der Siliziumscheiben und die Gesamteffizienz der Produktion erheblich verbessert. Dies hilft der Photovoltaikindustrie, die Kosten zu senken und die Effizienz zu steigern.