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Vassoio in grafite

Vassoio in grafite

Vassoio in grafite

Il vassoio di grafite è un componente a forma di vassoio realizzato con materiali di grafite, noto anche come piastra di supporto in grafite. Di solito è realizzato in grafite pressata isostaticamente con una purezza superiore a 99,9% e viene prodotto attraverso molteplici processi quali la pressatura isostatica, la sinterizzazione, ecc. Ciò le conferisce un'eccellente resistenza alle alte temperature, una conduzione uniforme del calore, stabilità chimica e resistenza all'usura. Si tratta quindi di un materiale di supporto pratico e durevole, molto adatto alle esigenze di trasporto di materiali in ambienti ad alta temperatura. Viene utilizzato in apparecchiature come forni per cristalli singoli e forni epitassiali per svolgere la funzione di supporto e protezione.

Vantaggi del vassoio in grafite

Resistente alle alte temperature

Può resistere a temperature superiori a 2800℃ in un ambiente inerte, in grado di adattarsi ad ambienti di lavorazione a temperature estremamente elevate.

 

Resistente agli shock termici

Ha un coefficiente di espansione termica estremamente basso, che rende improbabile la formazione di crepe o deformazioni in ambienti di raffreddamento e riscaldamento improvvisi.

 

Buono stabilità chimica

Resistente agli acidi, agli alcali e ai gas corrosivi, non reagisce con il carico e non presenta inquinamento da impurità.

 

Conduzione uniforme del calore

Grazie all'elevata conducibilità del calore e alla conduzione uniforme, è in grado di garantire un riscaldamento costante del pezzo.

 

Leggero e robusto

La sua densità è di soli 2,2 g/cm³ e la sua resistenza alla pressione è superiore a 80MPa, quindi ha una forte capacità di carico.

 

Inoltre, in base alle vostre specifiche esigenze, può essere trasformato nelle dimensioni e nella forma desiderate. Di solito, il vassoio di grafite ha una varietà di forme, come quella piatta, scanalata o perforata.

 

Usi del vassoio di grafite

Produzione di semiconduttori

Può essere utilizzato per supportare i substrati nelle apparecchiature per la deposizione di vapore chimico di metalli organici (MOCVD). È in grado di eseguire la deposizione epitassiale in condizioni di alta temperatura e alto vuoto e di prevenire la contaminazione da impurità, garantendo la qualità dello strato epitassiale. Inoltre, è in grado di operare stabilmente a temperature elevate (solitamente superiori a 1000℃) senza deformazioni o danni.

 

Crescita del cristallo singolo

Nel cristallo singolo forno, è possibile posizionarlo sotto il crogiolo di grafite per garantire la stabilità del crogiolo. Grazie all'eccellente resistenza alla corrosione dei metalli fusi e dei gas chimici, può essere utilizzato per lungo tempo. Conduce il calore in modo uniforme, garantendo una distribuzione uniforme della temperatura all'interno del crogiolo e facilitando la crescita di cristalli singoli di alta qualità.

 

Industria chimica

Può essere utilizzato anche in reattori ad alta temperatura per sostenere e proteggere i reagenti, migliorando l'efficienza della reazione. Può evitare che i reagenti entrino in contatto diretto con il reattore e causino reazioni avverse. Inoltre, grazie all'eccellente resistenza alla corrosione di diverse sostanze chimiche, è adatto a varie reazioni chimiche.

 

Produzione di LED

Nel processo di produzione dei wafer epitassiali di LED, è possibile utilizzare un vassoio di grafite per sostenere i substrati dei wafer. Durante il processo di deposizione epitassiale ad alta temperatura, viene utilizzato per sostenere i substrati dei wafer, garantendo una temperatura uniforme sulla superficie del substrato. Inoltre, è in grado di sopportare il peso dei substrati di wafer e le sollecitazioni meccaniche durante il processo. Inoltre, grazie alla superficie liscia e chimicamente stabile della grafite, non reagisce con i componenti. In questo modo protegge efficacemente la struttura precisa e la qualità della superficie dei componenti.

 

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