Suscitatore di grafite

Vantaggi del sensore di grafite

Il sensore di grafite si presenta comunemente sotto forma di strutture irregolari a forma di disco, di blocco o personalizzate, e i suoi vantaggi sono molto evidenti.

Eccezionale resistenza alle alte temperature

Può mantenere la stabilità strutturale senza deformazioni o degrado delle prestazioni in un ambiente ad altissima temperatura, oltre i 1500°C.

Eccellenti caratteristiche di induzione elettromagnetica

Può assorbire rapidamente energia a radiofrequenza o a microonde e convertirla in energia termica, ottenendo un riscaldamento efficiente e uniforme.

Elevata resistenza meccanica

Può sopportare pressioni di carico e sollecitazioni termiche relativamente elevate.

Proprietà chimiche estremamente stabili

Ha una buona resistenza alla maggior parte dei gas corrosivi e dei reagenti chimici.

Alta efficienza di conduzione del calore

Può trasferire rapidamente caloreche garantisce la costanza della temperatura durante il processo.

Facile da lavorare meccanicamente e da trattare in superficie

È possibile personalizzarla nelle dimensioni e nella forma in base alle diverse esigenze di processo.

Usi del susceptor di grafite

Settore della produzione di semiconduttori

Nei processi di precisione come la deposizione chimica da vapore (CVD) e la deposizione fisica da vapore (PVD) nella produzione di chip, è possibile utilizzarlo come piattaforma portante per il wafer. Grazie all'elevata conduttività termica, è in grado di ottenere una distribuzione uniforme della temperatura superficiale del wafer in pochi millisecondi. In questo modo, garantisce la coerenza della deposizione del film sottile. La sua elevata stabilità chimica può resistere efficacemente all'invasione di gas corrosivi e impurità. Ciò riduce significativamente il tasso di difetti dei chip e migliora notevolmente il tasso di rendimento e le prestazioni elettriche della produzione di chip.

Campo di crescita dei cristalli

Il susceptor di grafite svolge un ruolo importante anche nel processo di crescita dei cristalli di alta gamma, come lo zaffiro e il carburo di silicio. Non solo fornisce un supporto stabile per i cristalli, ma crea anche un ambiente di temperatura uniforme e stabile grazie a una precisa tecnologia di controllo del campo termico. Questa condizione di crescita controllabile può controllare con precisione il tasso di crescita, l'orientamento del cristallo e la struttura interna del cristallo, riducendo efficacemente i difetti di dislocazione e impurità. Ciò lo rende un componente di base indispensabile per la preparazione di materiali in cristallo singolo di grandi dimensioni e di alta qualità.

Industria metallurgica

Nelle apparecchiature metallurgiche, come i forni a induzione sottovuoto e i forni elettrici ad arco, funge da nucleo portante resistente alle alte temperature. Può sopportare l'enorme pressione e il forte shock termico dei liquidi metallici ad alta temperatura. Grazie alla sua eccellente inerzia chimica, è in grado di prevenire efficacemente le reazioni chimiche con i metalli attivi in ambienti ad alta temperatura. In questo modo elimina l'introduzione di impurità dalla fonte e garantisce l'elevata purezza e la stabilità degli standard qualitativi dei prodotti fusi.

Industria del solare fotovoltaico

È possibile utilizzarlo anche nei collegamenti dei processi chiave, come la diffusione ad alta temperatura e la ricottura nella produzione di wafer di silicio. Il susceptor di grafite svolge il ruolo di supporto preciso e di trasmissione efficiente del wafer di silicio. Grazie alle stabili proprietà meccaniche e alle caratteristiche di conducibilità termica, può garantire che i wafer di silicio non si deformino o si spostino durante la lavorazione ad alta temperatura, favorendo la diffusione uniforme degli atomi di impurità. In questo modo, migliora significativamente l'efficienza di conversione fotoelettrica dei wafer di silicio e l'efficienza produttiva complessiva. Aiutando così l'industria fotovoltaica a ridurre i costi e ad aumentare l'efficienza.